Name: Infineon Technologies IRFSL23N20D102P
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFSL23N20D102P
Availability: InStock
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Infineon Technologies IRFSL23N20D102P

Artikelnummer:

IRFSL23N20D102P

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 200V 24A TO262

Datenblätte:

1.IRFSL23N20D102P.pdf ···: 2D -Zeichnungen
IR Part Numbering System.pdf

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies IRFSL23N20D102P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRFSL23N20D102P.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	TO-262
Serie	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)	3.8W (Ta), 170W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	24A (Tc)
IRFSL23N20D102P Einzelheiten PDF [English]	IRFSL23N20D102P PDF - EN.pdf

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- Foto der Teile
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